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Zum Ende der Seite springen IBM: eDRAM für 3x so große Caches
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HCL   Zeige HCL auf Karte HCL ist männlich
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IBM: eDRAM für 3x so große Caches Auf diesen Beitrag antworten Zitatantwort auf diesen Beitrag erstellen Diesen Beitrag editieren/löschen Diesen Beitrag einem Moderator melden       Zum Anfang der Seite springen

Zitat:
IBM: eDRAM für 3x so große Caches

IBM hat heute auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Papiere vorgestellt, in denen eine neuartige, erstmalig gezeigte On-Chip-Hauptspeichertechnologie skizziert wird, die die schnellsten Zugriffszeiten bieten kann, die jemals bei eDRAM (embedded dynamic random access memory) erreicht worden sind.

Diese neue Technologie wurde unter Einsatz von IBMs Silicon-on-Insulator-(SOI-)Verfahren entwickelt und ermöglicht den Einsatz von wesentlich größeren Caches – unter anderem bei Mikroprozessoren – und kann damit zur Steigerung der Systemperformance beitragen. Es wird erwartet, dass die Technologie ein Schlüsselmerkmal der IBM 45-Nanometer-Prozessor-Roadmap sein wird und voraussichtlich ab 2008 verfügbar werden wird.


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15.02.2007 14:33 HCL ist offline Beiträge von HCL suchen Nehmen Sie HCL in Ihre Freundesliste auf Fügen Sie HCL in Ihre Kontaktliste ein
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